在所有的制程中,关键的莫过于微影技术。这个技术像照相的曝光显影,要把 IC 工程师设计好的蓝图,忠实地制作在芯片上,需要利用曝光显影的技术。在现今的纳米制程上,不只要求曝光显影出来的图形是几十纳米的大小,还要上下层结构在 30 公分直径的晶圆上,对准的准确度在几纳米之内。这样的程度相当于在中国大陆的面积上,每次都能找到一颗玻璃弹珠。因此这个设备与制程在半导体工厂里是复杂、也是昂贵的。
半导体技术进入纳米时代后,除了水平方向尺寸的微缩造成对微影技术的严苛要求外,在垂直方向的要求也同样地严格。一些薄膜的厚度都是 1 ~ 2 纳米,而且在整片上的误差小于 5%。这相当于在100个足球场的面积上要很均匀地铺上一层约1公分厚的泥土,而且误差要控制在 0.05 公分的范围内。


曝光显影
上一个 :
蚀刻
下一个 :
纳米技术有很多种,基本上可以分成两类
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蚀刻
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